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2004年4月全国高等教育自学考试电子技术基础一试题

2005-06-11 00:00   【 】【我要纠错

  04年4月电子技术基础一试题

  课程代码:02234

  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)

  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

  1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )

  A.本征半导体 B.温度

  C.杂质浓度 D.掺杂工艺

  2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则( )

  A.V截止U0=-10V

  B.V截止U0=-3V

  C.V导通U0=-10V

  D.V导通U0=-6V

  3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在( )

  A.放大状态

  B.饱和状态

  C.截止状态

  D.状态不能确定

  4.FET的转移特性如题4图所示,则该管为( )

  A.N沟道耗尽型

  B.N沟道增强型

  C.P沟道耗尽型

  D.P沟道增强型

  5.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( )

  A.共射组态 B.共基组态

  C.共集组态 D.共漏组态

  6.某单级放大电路的通频带为 ,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总的通频带 应是( )

  A. =2 B. >

  C. >2 D.

 

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